AI 芯片功耗破千 W!碳化硅成救星,3 家龙头已抢占赛道
日期:2025-09-17 16:10:17 / 人气:3
当英伟达下一代 Rubin 处理器功耗直指 1000W,AI 算力的指数级增长正遭遇 “散热死局”—— 传统硅基材料的性能瓶颈让高功耗芯片频陷降频、短命困境。而碳化硅(SiC)这一第三代半导体材料,凭借耐高温、高导热的先天优势,成为破解困局的 “救命稻草”,更在 AI 数据中心能源革命中占据核心地位,其产业链上游及技术领先企业已率先卡位,开启增长新周期。
一、算力狂欢下的生死考验:碳化硅如何 “力挽狂澜”
AI 芯片的 “功耗竞赛” 正在突破物理极限:从 H100 GPU 的 700W 到 Rubin 的 1000W,传统硅中介层 150W/mK 的热导率与芯片材料的适配偏差,导致散热效率低下,直接威胁芯片性能与寿命。碳化硅的横空出世,恰好精准匹配这一刚需。
其核心价值体现在两大维度:散热革命与性能升级。在散热端,碳化硅 490W/mK 的热导率是硅的 3 倍以上,热膨胀系数与芯片材料高度契合,将 H100 芯片工作温度从 95℃降至 75℃,不仅使散热成本降低 30%,更让芯片寿命延长 2 倍;在性能端,高深宽比通孔设计可缩短 50% 互连距离,提升 20% 数据传输速度,为 AI 算力搭建 “高速通道”。从技术落地节奏看,2027 年 SiC 中介层将正式导入台积电 CoWoS 封装,初期可满足 10% 高端 GPU 需求,开启规模化应用序幕。
与此同时,AI 数据中心的 “电力危机” 进一步放大碳化硅的价值。英伟达预测 AI 服务器电力消耗将增长近 100 倍,传统 54V 供电架构无力支撑 G 瓦级负载。2027 年量产的 800V HVDC 高压直流架构中,碳化硅器件成为核心:可减少 45% 铜材使用量,10MW 规模数据中心年均节电 120 万度,电费节省超 10 万美元,重塑数据中心能源体系。
二、产业链价值锚点:上游材料成 “黄金赛道”
碳化硅产业链的价值分配呈现 “上游主导” 特征,其中衬底与外延片作为核心材料,合计占据器件总成本的 70%,技术壁垒与盈利空间均处于产业链顶端。当前国内衬底市场正经历 “尺寸迭代竞赛”,不同规格产品对应差异化需求场景,构成多层次市场格局:
- 6 英寸衬底:仍是当前主流,2024 年出货量占比超 70%,但受产能过剩影响,价格从 2022 年的 5000 元 / 片跌至 2500-2800 元 / 片的成本线附近,行业加速淘汰落后产能,市场向头部集中;
- 8 英寸衬底:车规级高压平台核心材料,国内 70% 以上车规级 MOSFET 采用该规格,2024 年车规领域需求占比达 60%,比亚迪、蔚来等车企通过 Tier1 间接采购,需求持续刚性;
- 12 英寸衬底:全球技术巅峰,适配 AI 数据中心与下一代新能源汽车平台,比亚迪计划 2028 年推出基于该规格的 SiC-IGBT 模块,目标实现续航提升 10%、充电速度加快 20%,成为未来竞争焦点。
这种技术迭代驱动的市场分化,使得掌握大尺寸衬底技术与产能的企业,将长期享受行业增长红利。
三、核心企业卡位战:技术与产能的双重博弈
在碳化硅赛道的竞争中,3 家国内企业已凭借技术突破与产能布局形成差异化优势,分别占据龙头、潜力与设备核心地位。
1. 天岳先进(A+H):大尺寸衬底 “王者”
作为国内碳化硅衬底绝对龙头,天岳先进以 “大尺寸 + 高良率” 构建护城河:国内市占率超 50%,全球市占率 22.8% 位列第二。其导电型衬底国内市占率超 60%,8 英寸及以上产品主导市场,上海临港基地 2024 年实现 30 万片 / 年产能,直供比亚迪、蔚来等车企;半绝缘型衬底与华为、中兴深度合作,12 英寸产品已打入 Meta AR 眼镜供应链。2024 年发布的业界首款 12 英寸衬底,良率较同行高 15%、成本低 30%,更斩获奔驰、亿航智能订单,在车规与高端场景全面突破。
2. 天富能源:借壳预期下的 “潜力黑马”
其核心价值源于持有天科合达 20.71% 的一致行动人股份 —— 天科合达作为国内衬底 “双雄” 之一,2025 年 6 英寸导电型衬底国内市占率达 70%,全球 17.3%,8 英寸成本仅为国际水平 40%,在中低端市场形成垄断,同时占据国内光伏逆变器 45% 的市场份额。因两次冲刺科创板受阻,借壳成为天科合达上市关键路径,而天富能源原管理层提前辞职更强化市场预期。若借壳成功,公司将转型 “电网 + 半导体” 双主业,市值有望冲击 400 亿元,天科合达也将获得融资加速 88 万片 / 年产能落地。
3. 晶盛机电:设备与材料 “双料龙头”
作为国内半导体设备领军者,晶盛机电实现 “设备制造 + 材料生产” 全链条布局:设备端覆盖切割、抛光等核心环节,国内 70% 新增 8 英寸衬底产能采用其单晶炉,支撑衬底加工成本降低 30%;材料端子公司浙江晶瑞研发出 12 英寸导电型晶体,位错密度达国际水平,打破国际垄断,使中国跻身全球前三。宁夏 56 亿元 8 英寸项目 2026 年 Q2 达产后将形成 60 万片 / 年产能,叠加国家大基金三期 20 亿元投资,在设备与材料端同时掌握行业话语权。
结语:技术迭代中的长期机遇
碳化硅在 AI 领域的价值爆发,本质是材料革命对算力需求的精准响应。从芯片散热到数据中心能源架构,其应用场景的持续拓宽,将推动产业链进入高速增长期。对于投资者与行业观察者而言,需重点关注三大核心变量:12 英寸衬底的技术突破节奏、800V HVDC 架构的落地进度、以及核心企业的产能释放效率。在这场由技术驱动的产业变革中,提前卡位的龙头企业,终将在 AI 算力的 “功耗突围战” 中收获长期红利。
作者:杏鑫娱乐
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